發光二極體之原理與製程(第三版)

第一章 材料概論
1.1 晶體性質
1.2 能帶
1.3 半導體材料
1.4 晶體匹配

第二章 載子傳輸現象
2.1 載子傳輸現象
2.2 載子擴散
2.3 複合過程
2.4 連續性方程式

第3章 p-n接面理論
3.1 平衡條件
3.2 空乏區
3.3 電流-電壓特性
3.4 電容-電壓特性
3.5 暫態現象
3.6 接面崩潰

第四章 金屬-半導體接觸理論
4.1 金屬-半導體接觸的形式
4.2 蕭基接觸
4.3 毆姆接觸

第五章 晶體成長與量測
5.1 單晶成長
5.2 磊晶成長
5.3 晶體量測

第六章 發光二極體之製程技術
6.1 金屬化製程
6.2 微影製程
6.3 化學氣相沉積製程
6.4 擴散製程
6.5 蝕刻製程
6.6 研磨製程
6.7 切割製程

第七章 發光二極體之基本原理
7.1 輻射轉換
7.2 發光效率
7.3 電流-電壓特性的修正
7.4 電流擴散原理

第八章 發光二極體之結構與應用
8.1 可見發光光二極體
8.2 白光發光二極體
8.3 通訊發光二極體
8.4 背光源發光二極體
8.5 發光二極體的結構

第九章 發光二極體之度量學與照明技術
9.1 輻射定義
9.2 量測系統與量測方式
9.3 波長與亮度
9.4 固態照明技術

附錄